Das interdisziplinäre Forschungsteam »Nano-SIS«  ist am Institut für Angewandte Physik der Friedrich-Schiller-Universität Jena angesiedelt. Projektziel ist es, die Effizienz von Solarzellen zu erhöhen und gleichzeitig Herstellungsprozesse mit geringen Produktionskosten zu entwickeln.

Grundlage dafür sind nanostrukturierte Siliziumgrenzflächen und das einfache, energieeffiziente Semiconductor-Insulator-Semiconductor (SIS) Zelldesign.

Für die Herstellung der Siliziumgrenzfläche, dem sogenannten »Black Silicon«, wird ein reaktiver Ionenätzprozess verwendet. Dabei entstehen nadelförmige Strukturen auf der Oberfläche, welche die Reflexion des Substrates stark verringern. Der anschließende SIS-Schichtaufbau ermöglicht die Herstellung der Solarzellen mittels kostengünstiger und industrieerprobter Sputteranlagen.