Mikro- und Nanostrukturtechnik

• Photolithographie
• Elektronenstrahllithographie System SB350 OS (Vistec)
  

• Subtratgröße: bis 300 mm Ø
• Minimale Strukturgröße: < 65 nm
• Adressraster: 1 nm
  
• Placement Genauigkeit: < 15 nm
  
• Technologie für mehrstufige Gitterprofile
• Effiziente Belichtungsdatengenerierung

• Laserlithographie System DWL400-FF (HIMT)
  

• Substratgröße: bis 200x200 mm²
  
• Schreiben auf nichtplanaren Substraten möglich, Randwinkel bis zu 10°
• Substratdicke: bis zu 30 mm
• Auflösung: 1 µm
• Kontinuierliche Oberflächenprofile (128 Levels)

Mikrooptik-Technologie

• Einebnung / Ionenstrahlkorrektur von Substraten
  
• Resisttechnologie für 12" Substrate
• Reaktives Ionenstrahlätzen
  
• Reaktive Plasmaätzern
  

• Silizium, Kieselglas, Hochindexmaterialien
• Ätzaspektverhältnis bis ca. 1:10

• Beschichtung

• HR, AR, Metalle
• Sputtern, Verdampfung, ALD

• Wafer-Sägen und Ultrapräzisionsbearbeitung (CNC-Glasfräsen)
• UV-Abformung
• Heißprägeanlage
• Mask-Aligner
  
• Nanoimprint und Wafer-Level-Replikation

Charakterisierung von großen Substraten

• Elektronenmikroskop

• Focused Ionbeam tool
• Materialanalyse (EDX, EBSD)

• AFM: für Substrate bis 12" Substrat

• 12" Planwellen-Interferometer

• 11" Referenzspiegel, WFE < 4 nm rms

• Interferenzoptisches Oberflächen-Profilometer
• Ellipsometer für die Schichtstapelcharakterisierung