Elektronenstrahl-Lithographie

Höchste Präzision und Flexibilität für die Optik auf kleinen wie auf großen Flächen

Die Elektronenstrahl-Lithographie (EBL) ist die zentrale Technologie für die Erzeugung von Mikro- und Nanostrukturen, die weit über die Anforderungen der klassischen Mikroelektronik hinausgehen. Am Fraunhofer IOF entwickeln und realisieren wir mit EBL maßgeschneiderte Strukturen für modernste optische Komponenten, von Metaoptiken über Photonische Integrierte Schaltkreise (PICs) hin zu klassischen Beugungsgittern und diffraktiven Strukturen. Unsere langjährige Erfahrung und High-End-Anlage VISTEC SB350 OS ermöglichen Strukturen im Sub-65-nm-Bereich auf großen Flächen bis 300 mm Durchmesser.

Unser Leistungsangebot

Wir bieten die komplette Prozesskette für die Entwicklung und Herstellung feinster optischer Strukturen mittels Elektronenstrahl-Lithographie – von der Designberatung bis zur Charakterisierung der fertigen Bauteile. Dank modernster Technologie und unserem erfahrenen Team realisieren wir anspruchsvolle Einzelstrukturen und Kleinserien, angepasst an die individuellen Anforderungen von Forschung und Industrie.

 

Vorteile der Elektronenstrahl-Lithographie

Die Elektronenstrahl-Lithographie am Fraunhofer IOF bietet einzigartige Vorteile für die Entwicklung und Herstellung anspruchsvoller optischer Mikro- und Nanostrukturen:

  • Höchste Präzision: Mindeste Strukturgröße < 65 nm, Adressraster 1 nm
  • Positionsgenauigkeit: <15nm (3δ)
  • Große Flächen: Belichtung von Wafern bis 300 mm Durchmesser, Spezialformate bis 15 mm Dicke
  • Flexible Geometrien: Frei gestaltbare Layouts, komplexe Designs, Zellprojektion
  • Effiziente Datenverarbeitung: Schnelle Umsetzung komplexer Muster durch Musterprojektion

Was ist Elektrostrahl-Lithographie (EBL)?

 

EBL ist ein direktes Belichtungsverfahren, bei dem ein fokussierter Elektronenstrahl gezielt eine strahlungsempfindliche Schicht (Resist) auf dem Substrat beschreibt. Durch die steuerbare Ablenkung des Strahls lassen sich beliebig komplexe 2D-Muster mit extrem hoher Auflösung erzeugen. Nach der Entwicklung des Resists dient die erzeugte Struktur als Vorlage für die Übertragung in das Zielmaterial, meist durch nachfolgende Plasmaätzprozesse. Die EBL eignet sich besonders zur Herstellung von Masterstrukturen für optische Funktionselemente, die mit Standard-Lithographie nicht erreichbar sind.

© Fraunhofer IOF
Schematische Darstellung des Strukturierungsprozesses
© Fraunhofer IOF
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